[صفحه اصلی ]   [ English ]  
بخش‌های اصلی
صفحه اصلی::
مدیریت دانشکده::
درباره دانشکده ::
معرفی افراد::
گروه فیزیک حالت جامد::
گروه فیزیک اتمی-مولکولی::
امور آموزش::
امور پژوهش::
آزمایشگاه‌های تحقیقاتی::
اخبار و رویدادها::
تسهیلات پایگاه::
::
سخنرانی های 96

AWT IMAGE

..
اطلاعیه سقف نمره ی دکتری

..
نظرسنجی
سایت دانشکده فیزیک را چگونه ارزیابی می کنید؟
عالی
خوب
متوسط
ضعیف
   
..
جستجو

جستجوی پیشرفته
..
اطلاعات تماس
AWT IMAGE
آدرس: تهران، میدان رسالت،خیابان هنگام، دانشگاه علم و صنعت ایران، دانشکده فیزیک
تلفن دفتر دانشکده : 77240477
شماره نمابر : 77240497
تلفن مستقیم آموزش: 77240179 
آموزش-کارشناسی: 73225856    
تحصیلات تکمیلی: 73225892
پست الکترونیک: physics@iust.ac.ir
..
:: دفاعیه دکتری ::
 | تاریخ ارسال: ۱۳۹۲/۱۲/۱۲ | 
AWT IMAGEآقای فرهاد ستاری دانشجوی دکتری این دانشکده در تاریخ 25/ 9/92 ساعت  15 بعد از ظهر در سالن سمینار ساختمان شماره 1 فیزیک از پایان نامه خود با عنوان "خواص ترابردی الکترونیکی و اسپینترونیکی در ابرشبکه های تک لایه و دو لایه گرافینی " به راهنمایی  آقای دکتر ادریس فیض آبادی دفاع خواهد کرد.

آدرس پست الکترونیکی : frahad_sattari AT iust.ac.ir  

چکیده:

با توجه به این ‌که استفاده از اسپین الکترون به‌جای بار الکترون برای پردازش و ذخیره سازی اطلاعات، نیازمند تولید جریان قطبیده اسپینی خالص با اسپین بالا یا پایین است. بنابراین، ابتدا به بررسی فیلتر کردن اسپین در ابرشبکه تک لایه گرافینی می‌پردازیم. با این حال، به دلیل وجود تناقض کلاین (احتمال عبور الکترون‌ فرودی بر سد همواره برابر با یک است) در این نوع از ابرشبکه‌ همواره یک رسانندگی اسپینی بزرگ‌تر از صفر وجود خواهد داشت. پس نمی‌توان فیلتر کامل اسپینی را با این نوع از ابرشبکه‌ داشته باشیم. به همین دلیل در این رساله، ابرشبکه دو لایه فرومغناطیسی گرافینی را معرفی می‌کنیم که به دلیل وجود نداشتن تناقض کلاین در این سیستم می‌توان به قطبش صد درصد اسپینی دست یافت. همچنین، با توجه به این‌که زمان تونل زنی (زمانی که طول می‌کشد یک الکترون از یک سیستم عبور کند) پارامتری مهمی در فیزیک اسپینترونیکی است، به همین دلیل در این پایان نامه به بررسی زمان تونل زنی از یک ابرشبکه فرومغناطیسی گرافینی تک لایه می‌پردازیم. مشکلی که در ساختار‌های فرومغناطیسی گرافینی وجود دارد این است که بایستی حتماًَ یک میدان مغناطیسی خارجی به ‌چنین ساختاری اعمال گردد. از طرف دیگر به صورت تجربی ثابت شده است که قدرت راشبا در گرافین می‌تواند تا 200 میلی الکترون ولت نیز برسد. پس در این‌ پژوهش، ضریب احتمال عبور و زمان تونل زنی الکترون از یک ابرشبکه تک لایه گرافینی در حضور برهمکنش اسپین-مدار راشبا را بررسی می‌کنیم. با توجه به این‌که قدرت راشبا را می‌توان با ولتاژ گیت تنظیم کرد، بنابراین می‌توان به ‌راحتی رسانندگی و زمان تونل زنی الکترون را در وسایل الکترونیکی که بر پایه گرافین ساخته می‌شوند را کنترل کرد. به‌طور تجربی ثابت شده است که با اعمال میدان الکتریکی خارجی (تولید شده توسط ولتاژ گیت) به صفحه دو لایه گرافینی می‌توان گاف انرژی در آن ایجاد کرد. بنابراین انتظار می‌رود، که با تغییر گاف انرژی رسانندگی سیستم تغییر کند به عبارت دیگر در ابرشبکه دو لایه گرافینی می­توان رسانندگی سیستم را با تغییر گاف انرژی کنترل کرد. به همین دلیل در ادامه به بررسی اثر گاف انرژی در خواص ترابردی ابرشبکه‌‌ دو لایه گرافینی می­پردازیم. از طرفی برای این‌که بتوان از تک لایه گرافینی در ادوات الکترونیکی استفاده کرد، باید بتوان رسانندگی الکتریکی سیستم‌هایی که بر پایه گرافین ساخته می‌شوند را کنترل کرد و نیز بایستی به‌ روشی تناقض کلاین را در ساختار‌های گرافینی تک لایه از بین برد. یکی از این روش‌ها اعمال میدان مغناطیسی خارجی به ‌صفحه گرافینی است، بنابراین در پایان به بررسی خواص ترابردی الکترونی و اسپینی در یک ابرشبکه مغناطیسی گرافینی خواهیم پرداخت.

واژه های کلیدی: ابرشبکه تک لایه و دو لایه گرافینی، فرومغناطیس، زمان تونل زنی، برهم‌کنش اسپین-مدار راشبا، ترابرد اسپین.

دفعات مشاهده: 6888 بار   |   دفعات چاپ: 495 بار   |   دفعات ارسال به دیگران: 35 بار   |   0 نظر
سایر مطالب این بخش سایر مطالب این بخش نسخه قابل چاپ نسخه قابل چاپ ارسال به دوستان ارسال به دوستان
Persian site map - English site map - Created in 0.19 seconds with 1030 queries by yektaweb 3535