[صفحه اصلی ]   [ English ]  
بخش‌های اصلی
صفحه اصلی::
مدیریت دانشکده::
درباره دانشکده ::
معرفی افراد::
گروه فیزیک حالت جامد::
گروه فیزیک اتمی-مولکولی::
امور آموزش::
امور پژوهش::
آزمایشگاه‌های تحقیقاتی::
اخبار و رویدادها::
تسهیلات پایگاه::
::
سخنرانی های 96

AWT IMAGE

..
اطلاعیه سقف نمره ی دکتری

..
نظرسنجی
سایت دانشکده فیزیک را چگونه ارزیابی می کنید؟
عالی
خوب
متوسط
ضعیف
   
..
جستجو

جستجوی پیشرفته
..
اطلاعات تماس
AWT IMAGE
آدرس: تهران، میدان رسالت،خیابان هنگام، دانشگاه علم و صنعت ایران، دانشکده فیزیک
تلفن دفتر دانشکده : 77240477
شماره نمابر : 77240497
تلفن مستقیم آموزش: 77240179 
آموزش-کارشناسی: 73225856    
تحصیلات تکمیلی: 73225892
پست الکترونیک: physics@iust.ac.ir
..
:: دفاعیه دکتری ::
 | تاریخ ارسال: ۱۳۹۱/۱۰/۲۵ | 
AWT IMAGEخانم سمیه احمدی دانشجوی دکتری این دانشکده در تاریخ 25/ 10/91 ساعت  16 بعد از ظهر در سالن سمینار ساختمان شماره 1 فیزیک از پایان نامه خود با عنوان " ترابری الکترون در پیوندگاه های نانو نوار گرافین" به راهنمایی استاد اول آقای دکتر مهدی اسماعیل زاده و استاد دوم آقای دکتر ادریس فیض آبادی دفاع خواهد کرد.

آدرس پست الکترونیکی : s_ahmadi AT iust.ac.ir

چکیده

در این پژوهش، اثر برهم کنش اسپین-مدار بر خواص ترابری اسپینی ورقه­های گرافینی مورد بررسی قرار گرفته است. با استفاده از تغییر طول، ارتفاع و زاویه تابش الکترون به سد، شرایط مناسب برای وارون کردن اسپین الکترون پس از عبور از سد راشبا با کارآیی بالا به دست آمده است. مطالعه خواص ترابری اسپینی الکترون به ویژه اثر وارون شدگی اسپینی در عبور از سد راشبا در حضور پتانسیل الکترواستاتیکی از جمله مباحث این پژوهش است. نشان می­دهیم که در حضور پتانسیل الکترواستاتیکی اثر وارون شدگی اسپینی به ازای تمامی زوایای فرود الکترون اتفاق می افتد. مطالعه خواص رسانش اسپینی الکترون در پیوندگاه­های n-p-n در حضور برهم کنش اسپین-مدار راشبا یکی دیگر از مباحث در این پژوهش است. نشان داده شده است که در یک پیوندگاه n-p-n گرافینی رسانش اسپینی الکترون به مقدار برهم کنش اسپین-مدار راشبا و پتانسیل درون پیوندگاه گرافینی وابسته است.

در این پژوهش ورقه­های گرافینی گاف­دار به عنوان کلیدهای قطع و وصل اسپینی معرفی می­شوند. هم چنین نشان می­دهیم قطبش اسپینی در یک نانو نوار دسته مبلی در حضور برهم کنش اسپین-مدار راشبا با اعمال میدان الکتریکی عرضی بین1- و 1+ قابل تنظیم است. مطالعه خواص ترابری اسپینی زنجیره­های گرافینی زیگزاگ و دسته مبلی از دیگر مباحث مورد توجه در این پژوهش است. نشان داده شده است که بر خلاف زنجیره گرافینی دسته مبلی قطبش اسپینی در یک زنجیره گرافینی زیگزاگ با استفاده از تغییرات مقدار برهم کنش اسپین-مدار راشبا قابل کنترل است. اثر نقص ساختاری بر خواص ترابری الکترونی نانو نوار گرافینی زیگزاگ تک لایه و دو لایه با استفاده از فرمول­بندی تابع گرین تعادلی در رهیافت بستگی قوی مورد مطالعه قرار گرفته است. نقص ساختاری با در نظر گرفتن اتم برن که جایگزین اتم کربن در شبکه گرافینی شده است مدل سازی شده است.

در این پژوهش، با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی به مطالعه رسانش وابسته به اسپین در نانو نوار زیگزاگ گرافین با فرض تغییر خطی مغناطش از یک سمت به سمت دیگر نانو نوار می­پردازیم. در پایان، ظرفیت گرمایی نانو نوارهای گرافینی زیگزاگ و دسته مبلی در حضور میدان الکتریکی عرضی مورد مطالعه قرار گرفته است. نشان داده شده است که ظرفیت گرمایی به شکل لبه نانو نوار و مقدار میدان الکتریکی عرضی وابسته است.

دفعات مشاهده: 4979 بار   |   دفعات چاپ: 973 بار   |   دفعات ارسال به دیگران: 60 بار   |   0 نظر
سایر مطالب این بخش سایر مطالب این بخش نسخه قابل چاپ نسخه قابل چاپ ارسال به دوستان ارسال به دوستان
Persian site map - English site map - Created in 0.205 seconds with 1030 queries by yektaweb 3535