[صفحه اصلی ]   [ English ]  
بخش‌های اصلی
صفحه اصلی::
مدیریت دانشکده::
درباره دانشکده ::
معرفی افراد::
گروه فیزیک حالت جامد::
گروه فیزیک اتمی-مولکولی::
امور آموزش::
امور پژوهش::
آزمایشگاه‌های تحقیقاتی::
اخبار و رویدادها::
تسهیلات پایگاه::
::
سخنرانی های 96

AWT IMAGE

..
اطلاعیه سقف نمره ی دکتری

..
نظرسنجی
سایت دانشکده فیزیک را چگونه ارزیابی می کنید؟
عالی
خوب
متوسط
ضعیف
   
..
جستجو

جستجوی پیشرفته
..
اطلاعات تماس
AWT IMAGE
آدرس: تهران، میدان رسالت،خیابان هنگام، دانشگاه علم و صنعت ایران، دانشکده فیزیک
تلفن دفتر دانشکده : 77240477
شماره نمابر : 77240497
تلفن مستقیم آموزش: 77240179 
آموزش-کارشناسی: 73225856    
تحصیلات تکمیلی: 73225892
پست الکترونیک: physics@iust.ac.ir
..
:: دفاعیه دکتری ::
 | تاریخ ارسال: ۱۳۹۱/۱۰/۶ | 
AWT IMAGEآقای فرهنگ فلاح دانشجوی دکتری این دانشکده در تاریخ 9 /10/91 ساعت  15 بعد از ظهر در سالن سمینار ساختمان شماره 1 فیزیک از پایان نامه خود با عنوان " خواص اسپینی در مولکول های آلی " به راهنمایی آقای دکتر مهدی اسماعیل زاده دفاع خواهد کرد.

آدرس پست الکترونیکی : fallah AT iust.ac.ir

چکیده:

اسپینترونیک و یا الکترونیک اسپینی، شاخهای از علم است که به بررسی انتقال و ذخیره اطلاعات از طریق اسپین الکترون‌ها می‌پردازد. مطالعه اسپینترونیک در حوزه الکترونیک مولکولی که علم بررسی ترابری الکترون در تک مولکول‌ها است، به شاخه جدیدی به نام اسپینترونیک مولکولی منجر شده است.

در این رساله اثر اسپین-مدار راشبا بر ترابری باری و اسپینی در تعدادی از مولکول‌های آلی بررسی شده است. ضرایب عبور با استفاده از روش تابع گرین تعادلی محاسبه شده‌اند. در توصیف هامیلتونی این مولکول‌ها از مدل  هاکل استفاده شده است.

ابتدا اثر اسپین-مدار راشبا بر چند مولکول آلی بررسی شده است. نتایج نشان می‌دهد که در مولکول‌های 1و4-n-فنیل-دی تیولات با n زوج امکان چرخش کامل اسپین الکترون با بازدهی 100 درصد وجود دارد که باعث قابلیت استفاده این قطعه مولکولی به عنوان یک گیت NOT می گردد.

سپس اثر یک میدان الکتریکی خارجی علاوه بر اثر اسپین-مدار راشبا بر یک مولکول آلی بررسی شده است. نتایج تحقیقات نمایان‌گر امکان کنترل میزان چرخش اسپین الکترون به وسیله میدان الکتریکی خارجی می‌باشد. در این حالت با اعمال یک سیگنال مربعی برای میدان الکتریکی خارجی می‌توان یک ساعت اسپینی داشت. به دلیل ظرفیت خازنی بسیار پایین این مولکول‌ها، انتظار می‌رود این قطعه دارای سرعت عملکرد بسیار بالایی باشد.

در نهایت، تأثیر برهم‌کنش الکترون-الکترون به طور صریح با استفاده از روش تابع گرین غیر‌تعادلی کلدیش در ترابری اسپینی مولکول‌های 1و4-n-فنیل-دی تیولات مورد بررسی قرار گرفته است.

واژه‌های کلیدی:

 اسپینترونیک، الکترونیک مولکولی، مولکول‌های آلی، اسپینترونیک مولکولی، اثر اسپین-مدار

دفعات مشاهده: 4944 بار   |   دفعات چاپ: 776 بار   |   دفعات ارسال به دیگران: 61 بار   |   0 نظر
سایر مطالب این بخش سایر مطالب این بخش نسخه قابل چاپ نسخه قابل چاپ ارسال به دوستان ارسال به دوستان
Persian site map - English site map - Created in 0.216 seconds with 1030 queries by yektaweb 3535