[صفحه اصلی ]   [ English ]  
بخش‌های اصلی
صفحه اصلی::
مدیریت دانشکده::
درباره دانشکده ::
معرفی افراد::
گروه فیزیک حالت جامد::
گروه فیزیک اتمی-مولکولی::
امور آموزش::
امور پژوهش::
آزمایشگاه‌های تحقیقاتی::
اخبار و رویدادها::
تسهیلات پایگاه::
::
سخنرانی های 96

AWT IMAGE

..
اطلاعیه سقف نمره ی دکتری

..
نظرسنجی
سایت دانشکده فیزیک را چگونه ارزیابی می کنید؟
عالی
خوب
متوسط
ضعیف
   
..
جستجو

جستجوی پیشرفته
..
اطلاعات تماس
AWT IMAGE
آدرس: تهران، میدان رسالت،خیابان هنگام، دانشگاه علم و صنعت ایران، دانشکده فیزیک
تلفن دفتر دانشکده : 77240477
شماره نمابر : 77240497
تلفن مستقیم آموزش: 77240179 
آموزش-کارشناسی: 73225856    
تحصیلات تکمیلی: 73225892
پست الکترونیک: physics@iust.ac.ir
..
:: دفاعیه دکتری ::
AWT IMAGE

آقای خسرو شکوری دانشجوی دکتری این دانشکده در تاریخ 28 /4/91 ساعت 14:00 از پایان نامه خود با عنوان " اثرات نقص و برهم کنش الکترون - الکترون در نانوحلقه های کوانتومی منزوی و باز در حضور برهم کنش های اسپین - مدار " به راهنمایی آقای دکتر مهدی اسمعیل زاده دفاع خواهد کرد.

آدرس پست الکترونیک: shakouri AT iust.ac.ir

  چکیده: در این پژوهش، اثرات نقص ساختاری بر خواص الکترونی و اسپینی نانو حلقه­های کوانتومی منزوی و باز در حضور برهم­کنش­های اسپین-مدار و برهم­کنش الکترون-الکترون مورد بررسی قرار گرفته است. حلقه کوانتومی تحت یک میدان مغناطیسی خارجی که در امتداد عمود بر حلقه اعمال می­شود قرار دارد. در ابتدا به بررسی خواص الکترونی یک حلقه متشکل از آرایه­ نقاط کوانتومی می­پردازیم. پتانسیل آرایه با سد پتانسیلهای مستطیلی کرونیگ-پنی، و نقص آرایه با تغییر در عرض یا ارتفاع یکی از سدهای پتانسیل مدل شده است. نشان داده شده است که میدان مغناطیسی سبب جابجایی مناطق بریلوئن می­شود. بنابراین تعمیمی برای شرط بازتاب براگ از مرز مناطق ارائه شده است که اثرات میدان مغناطیسی را در بر دارد و قابل کاربرد برای هر شبکه­ حلقوی شکل است. همچنین در حضور برهم­کنش الکترون-الکترون نشان داده شده است که یک مقدار بحرانی برای پتانسیل نقص وجود دارد که به ازای آن دوره نوسانات آهارانف-بوهم از دوره کسری به دوره صحیح گذار می­کند.

  مطالعه حلقه کوانتومی منزوی و سیم کوانتومی در حضور هر دو نوع برهم­کنش اسپین-مدار راشبا و درسلهاوس از جمله مباحث این پژوهش است. برای حلقه و سیم هامیلتونی­های مؤثری معرفی شده است که به ترتیب ایرادهای حاصل از تقریب پایین­ترین حالت شعاعی و تقریب پایین­ترین زیر نوار را در بر ندارند. عناصر ماتریس هامیلتونی­های مؤثر با روشهای تحلیلی بدست آمده­اند و در استخراج آنها اثرات اولین حالت برانگیخته نیز در نظر گرفته شده است. نشان می­دهیم که حضور نقص ساختاری در حلقه باعث از میان رفتن برخی خواص اسپینی در پایین­ترین ویژه حالتها می­شود که این خواص از برهم­کنشهای اسپین-مدار ناشی می­شوند. همچنین نقص می­تواند مانع از کاهش دوره نوسانات آهارانف-بوهم در حضور برهم­کنش الکترون-الکترون شود.

  در خصوص حلقه کوانتومی باز، ترابری الکترونی و ترابری وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی جفت شده با حلقه کوانتومی، با استفاده از فرمولبندی تابع گرین تعادلی، مورد بررسی قرار گرفته است. در این مسأله با فرض حضور نقص، برهم­کنش اسپین-مدار راشبا و اثر زیمان در حلقه به مطالعه ترابرد الکترونی و اسپینی الکترونها در سیم پرداخته شده است. نشان داده شده است که اگرچه اثر راشبا موجب شکافت اسپینی ترازهای انرژی می­شود اما از میزان قطبیدگی اسپینی ترازها می­کاهد که این موضوع تأثیر نامطلوبی بر ترابری اسپین دارد. با این وجود، نقص موجود در حلقه کوانتومی در شرایط خاصی می­تواند موجب بهبودی ترابری وابسته به اسپین گردد.

دفعات مشاهده: 5262 بار   |   دفعات چاپ: 1220 بار   |   دفعات ارسال به دیگران: 69 بار   |   0 نظر
سایر مطالب این بخش سایر مطالب این بخش نسخه قابل چاپ نسخه قابل چاپ ارسال به دوستان ارسال به دوستان
Persian site map - English site map - Created in 0.209 seconds with 1030 queries by yektaweb 3535