[صفحه اصلی ]   [ English ]  
بخش‌های اصلی
صفحه اصلی::
مدیریت دانشکده::
درباره دانشکده ::
معرفی افراد::
گروه فیزیک حالت جامد::
گروه فیزیک اتمی-مولکولی::
امور آموزش::
امور پژوهش::
آزمایشگاه‌های تحقیقاتی::
اخبار و رویدادها::
تسهیلات پایگاه::
::
سخنرانی های 96

AWT IMAGE

..
زمان بندی مصاحبه دکتری 96

AWT IMAGE

..
نظرسنجی
سایت دانشکده فیزیک را چگونه ارزیابی می کنید؟
عالی
خوب
متوسط
ضعیف
   
..
جستجو

جستجوی پیشرفته
..
اطلاعات تماس
AWT IMAGE
آدرس: تهران، میدان رسالت،خیابان هنگام، دانشگاه علم و صنعت ایران، دانشکده فیزیک
تلفن دفتر دانشکده : 77240477
شماره نمابر : 77240497
تلفن مستقیم آموزش: 77240179 
آموزش-کارشناسی: 73225856    
تحصیلات تکمیلی: 73225892
پست الکترونیک: physics@iust.ac.ir
..
:: دفاعیه دکتری ::
AWT IMAGEخانم مژگان کریمی نژاد دانشجوی دکتری این دانشکده در تاریخ 20 /10/90 از پایان نامه خود با عنوان " ترابرد اسپین قطبیده در نانوساختارهای کربنی" به راهنمایی آقای دکتر افشین نمیرانیان دفاع نمود.

 چکیده:

  ترکیب اسپین و میکروالکترونیک منجر به تولید ادواتی با سرعت کلیدزنی بالا و مصرف توان پایین در مقایسه با الکترونیک متعارف می­شود. برای ساختن ادواتی که بر پایه­ی اسپین الکترون عمل می­کنند احتیاج به انتقال جریان­های اسپینی به طور همدوس در فاصله­ای بلند است، تا بتوان اسپین را به طور دلخواه تغییر داد. به دلیل بزرگ بودن زمان واهلش اسپین در مواد آلی، نانولوله­های کربنی و نانونوارهای گرافین کاندیداهای مناسبی برای ترابرد اسپین به طور همدوس می­باشند. از این­رو در این پایان­نامه ترابرد اسپین در این ساختارها در شرایط متفاوت مورد بررسی قرار گرفته است.

  بر اساس روش تابع گرین، رسانش وابسته به اسپین در نانونوارهای گرافینی زیگزاگ را با حضور برهم کنش رشبا محاسبه کرده­ایم. در این مساله هامیلتونی سیستم و هامیلتونی رشبا با مدل بستگی قوی در نظر گرفته شده­اند. محاسبات نشان می­دهند که برای برهم کنش قوی اسپین- مدار رشبا عناصر ماتریس رسانش بستگی به پهنا و طول نانونوارگرافین دارند. همچنین، نشان داده شده است که در بعضی از موارد (نانونوار هایی با طول وعرض خاص)، در گستره­ی وسیعی از جفت شدگی اسپین- مدار، یک نانونوار گرافینی را می­توان به عنوان یک عملگر چرخش اسپین در نظر گرفت.

  مساله­ی دیگری که در این پایان­نامه بررسی شده است، اثر ناخالصی مغناطیسی بر روی رسانش نانولوله های تک­دیواره­ی دسته­مبلی فلزی با طول محدود که بین دو منبع الکترونی اسپین قطبیده قرار دارند، با استفاده از یک روش اختلالی به نام روش تحلیل انرژی است. تحلیل نتایج نشان می­دهد رسانش دیفرانسیلی بستگی به شعاع و طول نانولوله و همچنین مکان ناخالصی دارد. به­علاوه، ناخالصی مغناطیسی بر روی جریان اسپین قطبیده بین منابع الکترونی با جهت­گیری پادموازی در مقایسه با جهت­گیری موازی اثر بیشتری دارد. همین مطالعه برای نانونوارهای گرافینی دسته مبلی فلزی با طول نامحدود نیز انجام شده است و نتایج مشابهی به­دست آمده است.

 

دفعات مشاهده: 3180 بار   |   دفعات چاپ: 509 بار   |   دفعات ارسال به دیگران: 58 بار   |   0 نظر
سایر مطالب این بخش سایر مطالب این بخش نسخه قابل چاپ نسخه قابل چاپ ارسال به دوستان ارسال به دوستان
Persian site map - English site map - Created in 0.27 seconds with 1032 queries by yektaweb 3455